Abstract
本論文主要是用模版法來生成中孔洞二氧化矽結構。論文分為兩部分：第一部份是在酸性溶液下以界面活性劑（CTAB）當模版與矽酸鹽（TEOS）結合，藉由改變CTAB與TEOS的比例，利用GISAXS與SEM來研究在氣液界面上生成M41S薄膜的結構與表面聚集行為。實驗發現TEOS與CTAB的比值在0.25?4之間時，所生成的薄膜結構為Hexagonal結構，孔道方向平行於膜面，孔與孔的間距為3.5?4.6 nm。TEOS與CTAB的比值為5?8之間時，薄膜結構為Hexagonal 與Cubic結構的混合體。其中TEOS的的濃度越高時，孔洞間的孔壁反而會越薄。當TEOS與CTAB的比值為16時，薄膜的結構會變成Cubic結構。由SEM觀察薄膜表面發現，薄膜在水面的粗糙度會大於在空氣面的粗糙度，且隨著TEOS的濃度增加，薄膜表面的粗糙度也會跟著增加。第二部分是以DNA當模版與矽酸鹽（TMOS）結合生成中孔洞二氧化矽管狀物。實驗發現在酸性溶液下，二氧化矽會完整包覆DNA，樣品燒結後會形成直徑2.8 nm的管狀物，若在中性溶液下反應，二氧化矽並不會完整的包覆住DNA，使得樣品在燒結後，會使結構崩塌。