Abstract
Ｘ光不變相位對於晶體結椪之分析是一個重要的因素，得到足夠多的不變相位，晶體結構便可以解出來。到目前為，此雖然有些數學方法可解出相位，但以物理方法直接量出相位的方法，如以複繞射分析相位，則尚在萌芽階段。本文主畏的目的則在利用複繞射技術，以實驗方法直接決定不變相位正弦函數之符號。我們發現：當Ｘ光對晶體產生複繞射時，則Ｘ光複繞射會因相位的正負而改變。當不變相位為正，則複繞射強度會因正不變相位而減弱，而當不變相位為負，則複繞射強度會因負不變相位而增強。因此繞射強度的消長，相位之正負號可由是而決定。在GaAs（２２２）的３－Beam Case ，不變相位都可以利用複繞射Ｒ值的方法定出它的正負符號，除了Suface Case 之外，對於Suface Case 並不能明顯的定出不變相位的正負符號，這是一個需要繼續研究的工作。它的動力繞射理論目前正在發展當中（Chang 與Tang）。本文中只考慮到GaAs（２２２）與（２００）兩個反射面，而這兩個反射面都是Forbidden。 對於不是Forbidden 的反射面，如（４００），（１１１），（３３３）面，是否一樣能用複繞射Ｒ值的方法求出不變相位的正負符號，仍是有待研究的課題。