Abstract
Si(100)是電子工業所用的基材，對金屬╱Si(100)接面的瞭解有助於ULSI的發展。本實驗室對於製備乾淨的Si(100)表面的技術已成熟，另一方面，我們可將真空度維持在3×10－11torr的超高真空，所以利用同步輻射光配合LEED技術，研究Au╱Si(100)接面的電子結構。 實驗中以Si 2p的核層能譜以及40eV的價帶能譜為主要研究對象。實驗結果顯示，Au╱Si(100)接面間並無所的臨界厚度(critical thickness)，二者在一開始便產生相互作用；在θ＜0.6ML的厚度下，金與Si(100)間尚為有擴散現象發生。 經由LEED技術我們發現，表面的乾淨程度對於表面原子結構的重組並沒有太大的影響，而退火時間的長短將會造成不同LEED pattern出現。