Abstract
本論文主要探討以SiCl4/H2為前驅體於低壓化學氣相沉積系統中成長非晶矽(Amorphous silicon)薄膜。本研究探討反應溫度、氫氣流量和鍍膜壓力等參數對矽薄膜成長的影響，並利用SEM、EDS、Raman和XRD分析各參數對於矽薄膜成長的效應，由於成長所得的薄膜屬於非晶矽薄膜，故嘗試用退火的方式來增加矽薄膜的結晶。就反應溫度方面，在900℃的溫度下便可進行矽薄膜的成長，在氫氣流量方面，當H2流量100 sccm時，薄膜有較佳品質和鍍膜速率，此時鍍膜速率為15 nm/min，在鍍膜壓力方面，在4.0 torr時薄膜的品質則最好。 其次利用所製備的非晶矽薄膜進行異質接面太陽能電池的製作，利用太陽光模擬器配合電流電壓量測和光譜響應量測系統進行分析，發現經過非晶矽薄膜的製備後，我們觀察到有使用非晶矽薄膜所製備出的元件，其可以提昇電池的Voc，並且在波長700~1000 nm的範圍可有效提昇量子效率，但在400~700 nm可見光波長範圍之量子效率卻下降許多。