Abstract
本論文研究採用微波電漿化學氣相沉積法,在石英玻璃基板及矽基材上製 作鑽石薄膜,以甲烷/氫氣為反應氣體,並改變沉積參數例如:成長時間,沉 積溫度,甲烷/氫氣比例,碳化濃度,及成荷時間等等.藉由探討沉積參數以 瞭解鑽石薄膜於石英基材上及矽之影響,並找出最佳沉積條件,以成長高品 質之鑽石薄膜,其生長條件及方法在本文中均有詳細論述.而在二怖驟及三 步驟中均可成長出高品質之鑽石薄膜,除用拉曼譜線另有霍氏紅外線光譜, 掃描式電子顯微鏡等儀器來分析薄膜,並附有大量的薄膜樣品的表面型貌 來說明鑽石成長變化過程.