Abstract
銅銦鎵硒太陽能電池以低成本及高效率的優點成為極具發展潛力的替代再生能源，並且目前希望發展無鎘製程材料取代原本的硫化鎘緩衝層，以解決環境安全問題。本實驗中致力於使用硫化鋅緩衝層取代原本的有毒材料，期望達到相同效率的元件。本論文主要分為三部份：第一部份為探討化學浴沉積法中製程及參數的差異對於薄膜性質的影響；第二部份藉由前趨物氨水濃度的調變，探討薄膜性質於材料特性上的差異以及形成PN二極體時缺陷對於元件的影響；第三部份為硫化鋅緩衝層製作成完整元件，量測其效率，並探討Light soaking及退火對於元件效率的影響，而將硫化鋅緩衝層應用於銅銦鎵硒太陽能電池上，效率已可接近硫化鎘緩衝層所製作的元件。