Abstract
本實驗的內容是在大氣中，利用接觸式之導電性AFM在鈮(Nb)薄膜製作奈米級氧化層，主要探討在鈮薄膜上施加的電壓小大及AFM掃描速率對於結構形成有什麼影響?所選用的材料（鈮）會隨著溫度變化而兼具金屬和超導體的性質，因而適合開發成元件（如SET、JJs(Josephson junctiondeivices)等）。最後，我們使用目前有關此機制的理論計算及分析，則發現在不同範圍的速率期間，高度（h）與掃描速率（u）呈顯不同的數學關係，並不是現有的模型或經驗公式可以解釋，其次，我們計算得到其臨界電壓為3 伏特左右。 此外，在實驗過程中曾嘗試利用STM來製造奈米結構，但在探針或鈮薄膜施加偏壓的結果，常會在樣品上製造表面結構後，無法獲得所製造結構的清晰影像，這是由於高密度電流通過所致。其次，亦作了初步濕度實驗，當非常低濕度時，使用10伏特則無法製作結構，即顯示濕度是決定氧化層大小的重要因素之一。