Abstract
由於RuO2氧化物本身良好的物理與化學性質如導電性、化學安定性等等而引起廣泛研究與應用如鐵電電容的電極、催化劑與電化學電容方面領域。近年來奈米科技的進步讓學著們投注相當的心力在一維奈米材料的合成與應用而研究範圍包含半導體材料(如矽、鍺、三五族或二六族半導體)或是具功能性的氧化物材料(如氧化鋅、氧化鈦、氧化鎂)。雖然RuO2已經被研究許久，但在一維奈米材料的探討上卻寥寥可數。另一方面，一維奈米材料的製備技術有許多種，但至今仍未使用過濺鍍法來合成。本實驗利用反應式射頻磁控濺鍍的方式合成一維RuO2奈米結搆並且對於其場發射性質做進一步探討。 實驗結果發現，成長一維RuO2奈米結構的最佳條件為在操作功率為20 Watt、基板溫度450℃、腔體壓力為10 mtorr、Ar/O2=10/10(sccm)。在此條件下能穩定的合成出均勻分佈的一維RuO2奈米結構，另外在實驗中也合成出大面積(4吋)均勻分佈的一維RuO2奈米結構。 在場發射性質研究方面，隨著一維RuO2奈米線長度增長，無論是在起始電場(Eto)、閾值電場(Eth)以及射出電流等等都有明顯的改善，使得RuO2在場發射源材料領域應用上具有相當不錯的潛力。