Abstract
本實驗利用同步輻射光，量測SiCl3CH3與SiCl2(CH3)2 兩分子吸附在約95 K的Si基底上的高解析Cl L23-edge(197-228eV)和C K-edge(280-300 eV) 全電子產額(TEY)譜，以及光子激勵離子脫附光譜。我們發現無論是 SiCl3CH3或SiCl2(CH3)2 分子在激發Cl-2p及C-1s核層電子時，將產生 H+ ，CH3+，Cl+等三種主要的正離子，但在激發Cl-2p核層電子時，光脫附 Cl+離子能譜強度明顯的比其它光脫附離子譜強了許多，但在激發C-1s核 層電子時即無此現象,表示此類分子有明顯的選擇性斷鍵(bond selective fragmentation)的現象。此外我們量測共振光電子能譜所觀察 到的都是以旁觀歐傑電子 (Spectator Auger)為主要衰退過程，由於全電 子產額和光子激勵離子脫附光譜類似，所以離子的脫附是由光子激發內層 電子至未被佔據的能階 (unoccupied state)引發旁觀歐傑電子衰退，在 鍵結軌域上產生兩個電洞，經由庫倫斥力而造成離子的脫附。