Abstract
利用同步輻射光解析混和氧化鎵與氧化釓在n型鍺上的介面電子結構，同步輻射擁有高強度及高解析度使得我們能對不同深度的電子結構有很好的解析。然而實驗數據與理論計算的結果在電子動能很小的時候是不相符合的，在未經退火處理和只有經過氮氣退火的結果顯示介面處已有鍺與氧化鎵和氧化釓的鍵結存在，藉由四氟化碳電漿和退火處理，介面層被另一種鍺、氟和氧化釓的新氧化層取代，此氧化層同時存在於鍺與混和氧化鎵、氧化釓的介面處與混和氧化鎵、氧化釓的表面。在四氟化碳電漿處理的試片發現原本的氧化鎵被還原成元素態鎵，同時氟使得氧化釓產生極化效應移動到更高的束縛能，在退火處理後，發生”恢復作用”使得元素鎵及極化的氧化釓變回氧化鎵和氧化釓，同時產生更多的鍺、氟和氧化釓的新氧化層，此外，能帶彎曲的現象同時在介面的半導體端和高介電係數材料端都被發現，最後我們得出價帶失配的大小是2.95電子伏特。