Abstract
本篇論文利用同步輻射光電子技術量測金屬/Alq3界面的電子結構，同步輻射光電子技術的優點是，藉由不同的光束線的分光儀選取不同的光能量，提高表面靈敏度。將鹼金屬、鹼土族金屬或銀，蒸鍍到Alq3表面，量測在超高真空環境下這些金屬與Alq3介面的反應，探討有機發光二極體（OLEDs）的Alq3/陰極可能發生的反應。論文最主要的發現是一些金屬會在金屬/Alq3界面，大於鍵切臨界蒸鍍量時，會發生鍵切現象（bond-scission）。在Cs/Alq3界面，存在一個臨界蒸鍍時間（220秒）。當蒸鍍時間大於220秒，Alq3分子鍵會被Cs原子切掉而分解，產生Alq2和Csq，Alq2 和Alq分子會更近一步地被Cs原子切掉，形成Alq和Al。在K/Alq3界面，存在一個臨界濃度（x=2.4）。當?入濃度大於臨界濃度時，鄰近phenoxide環的Al?O?C鍵會K原子切掉，重新形成新鍵結。Alq3分子鍵會被K原子切掉而分解，產生Alq2和Kq。同樣地，Alq2會因為Kq的形成而分解成Alq甚至Al。在Ca/Alq3界面，存在一個臨界蒸鍍時間（4分鐘）。當蒸鍍時間大於4分鐘時，鄰近phenoxide環的Al?O?C鍵會Ca原子切掉，重新形成新鍵結。Alq3分子會被Ca原子切掉而分解，產生Alq2和Caq2。相對地，在pyridyl環產生應變的C=N?C鍵沒有被切斷。在Ag/Alq3界面，根據Al 2p、 Ag 3d、N 1s和O 1s能譜顯示，在Ag和Alq3之間不會產生化學反應，銀的摻入只會在鄰近phenoxide環的Al?O?C鍵與鄰近pyridyl環的C=N?C鍵，產生一個應變的環境。