Abstract
金氧半導體元件 (Mos Devices)在半導體工業的發展扮演一個很重要的角色。而品質好的閘極氧化層 ﹝ gate oxide﹞更是積體電路成功所必需的。在超 大型積體電路的領域，氧化層的厚度繼續的減少 ，到低於0.5微米的技術，氧化 層的厚度少於10nm ，製造如此薄的好氧化層實在是非常有挑戰性的研究。本論文對氧化層成長後再利用N2O回火之氧化層 ，以高電場之加壓測試探 討其可靠性，並首先以埋藏式注入( BuriedJunction Injector)結構注入熱載 子的方法，對於氧化層中以及氧化層介面之陷阱產生與氧化層電場從低到高電 場之關係，將N2O回火及傳統之熱閘氧化層作深入的比較研究。在這次實驗中，相對於傳統氧化層而言，不管在高氧化層電場的加壓實驗或者在低氧化層電場利用埋藏式熱載子注入實驗N2O回火之閘氧化層有著較