Abstract
本實驗利用射頻電漿化學氣相沉積法(RFCVD) 在未經處理的矽基材上沉積類鑽石膜及非晶質碳氫薄膜.由沉積數的改變得出這兩類薄膜,表面分析技術及沉積參數,所扮演的角來探討兩類薄膜的成因和特性. 在CH4與Ar為反應氣體的系統中,偏壓(self-bias)低於120V時,所沉積出的薄膜為非質碳氫膜,此薄膜具有螢光的特性.如以氬離子雷射(488nm) 為激發光源時,可發現螢光會隨雷射照射而發生螢光衰減與成長的現象,且螢光峰值會發生藍位移,從578nm移至540nm.當偏壓大於120V時,薄膜硬度隨之提高,具耐酸性,含氫量較少.在結構上,結晶性高,從拉曼及TEM分析,石墨相與Chaoite 單晶與多晶體,但薄膜仍含有非晶質相和未知的碳相,此類薄膜稱為鑽石膜.