Abstract
由於原子層化學氣相沉積法(Atomic layer chemical vapor deposition, ALCVD )據有很好的膜厚控制能力、階梯覆蓋性、並可以在低溫下進行實驗等優點，是沉積極薄薄膜的理想方法，所以目前已經受到科學界以及業界的重視。 在本實驗中，我們將使用原子層化學氣相沉積法在鍺基板上面去沉積HfO2/La2O3疊層結構，並在沉積氧化鑭的時候使用La(iPr2-FMD)3做為前趨物，然後使用氧氣電漿做為鑭的氧化劑；而沉積氧化鉿的時候使用TEMAH (Hf(NC3H8)4)做為鉿的前趨物，用重水當氧化劑。 本實驗第一部分將討論在固定厚度下，去討論不同鑭鉿厚度比例下對薄膜性質的影響，藉由觀察分析電性和物性的量測結果，去判斷何種厚度下能有最好的改善效果。 而在第二部分，我們根據第一部分的結果，固定HfO2/La2O3疊層結構的厚度，並在沉積氧化層之前，先用不同比例的氮氫混合電漿處理鍺基板表面，再進行材料分析和電性量測，去觀察氮氫混合電漿對元件性質的影響。