Abstract
FePt具有高矯頑場，高Ku□的特性，非常適合用於紀錄媒體。但FePt有項致命的缺點，就是需要相對於一般磁碟製程要高出許多的序化溫度(約600℃)，研究人員無不想盡辦法降低FePt的序化溫度。另外，垂直式紀錄已經公認為下一代高密度紀錄媒體的解決方案。垂直式紀錄具有較大的寫入場，能提供較高的SNR及熱穩定性，因此降低了每一個紀錄bit的體積，大大的提升紀錄的密度。 本實驗發現利用氫終結的Si基板並以Cu當作底層有著與SiO2基板以及具有數個□自然氧化層Si有著不ㄧ樣的性質。研究利用Si/Cu磊晶技術成功的作出在300℃退火之後促使FePt的低溫相變，並深入探討Si/Cu底層誘發FePt低溫相變的原因，發現Si/Cu產生Cu的矽化物時會產生一巨大的張應力使得FePt得以在低溫序化。此應力在產生之後隨即釋放，與傳統的給予一個較大晶格常數的底層做法不同。若改變Cu的厚度，磁性質亦會隨之變化。 另外，改變不同的中間層以及鍍膜條件，可使FePt具有(001)的優選方向，並且還具有低溫相變的優點。研究發現在鍍製Pt及FePt膜時升溫能夠增強(001)的優選方向，並在初鍍膜時就可以從x-ray觀察到(100)的序化繞射峰。接著經過300℃退火之後可在垂直膜面方向得到相當不錯的磁性質。