Abstract
本篇論文主要是針對現在半導體產業的需求所進行研究，尤其現在在半導體製程講求的是高產能、高良率、速度快，發展一套線上即時監控系統，來替代以往的非線上量測的方法實在有其必要性。 橢圓儀本身主要是利用光本身偏振態的特性，經由光波打到待測物質上，光的特性變會發生改變，經由量測光波在入射及出射後偏振狀態的改變，來求取材料的特性，如折射率、薄膜厚度等，然而相較於其他光學量測方法，由於橢圓儀本身是利用相位變化來求取厚度，其靈敏度校一般量測儀器來的高，亦是我們採用此統來當作我們蝕刻製程的量測工具的原因之一。 實驗上我們採用清華大學工程與系統科學系自制的蝕刻機台，並且自行架設一套橢圓儀系統，主要目地是用來求取膜薄厚度，且當材料材質發生變化時，會造成材料特性改變，亦可用作於蝕刻終點偵測，在本篇論文的第五章部份，我們可以看到在靜態量測方面，我們已經做到了15A□以內的誤差，然而在動態量測方面，亦可以馬上看出蝕刻時相位及振幅大小的變化曲線，並計算出薄膜厚度後且 與一般蝕刻完成後再去計算蝕刻厚度的方法作一比較。