Abstract
本實驗以飛秒級（Femtosecond）脈衝雷射激發半導體，產生 次毫米（submillimeter）波段的電磁脈衝，並利用非線性晶體碲化 鋅（ZnTe）的電光效應偵測之。 非線性晶體碲化鋅具有折射率變化與外加電場強度成正比的 線性電光效應。使用「鈦：藍寶石」雷射（Mode-locked Femtosecond Ti：Sapphire Laser)產生脈衝寬度約100fs 之雷射 脈衝，來激發加上直流偏壓的半絕緣體砷化鎵（SI-GaAs），產生 脈衝寬度約1ps的電磁脈衝。利用電光取樣 （Electro-Optic Sampling）將電磁脈衝入射非線性晶體碲化鋅，使其折射率發生 變化，同時以另一道雷射光入射穿透碲化鋅，而得到高解析的電 磁脈衝強度與時間分佈。以此電光取樣量測方式，我們可以瞭解 外加偏壓對輻射電場之影響，並比較兩不同厚度碲化鋅在不同雷 射波長下對輻射電場的反應，最後對THz電磁脈衝作一維空間分 佈之掃描與分析。