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利用穿透式電子顯微鏡分析奈米碳管之結構參數
Thesis

利用穿透式電子顯微鏡分析奈米碳管之結構參數

陳政安
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2006

Abstract

奈米碳管 化學氣相沈積法 懸空奈米碳管 穿透式電子顯微鏡 結構參數 CNT CVD Free-standing CNT TEM index
電子元件不斷的縮小,成本也不斷的降低,在這個過程中,縮小 化的技術遇到了瓶頸,而使部分科學家轉為研究奈米級的材料。奈米 碳管是近來最熱門的奈米材料之一,具有許多優越的性質,值得我們 進一步去探討與研究,其中我們有興趣的是奈米碳管結構與電學性質 的關係。 本實驗利用傳統的光學微影與電子束微影製程製做出奈米碳管 元件的電極,而奈米碳管則用化學處理的方式沈積在基板上或是利用 溼式催化劑配合化學氣相沈積法直接長在基板上,配合試片劈裂的製 程在基板邊緣做出奈米碳管的元件結構,並結合微機電常用的側蝕刻 技術,使奈米碳管懸空在基板邊緣,這個技術使我們可以量測特定奈 米碳管的電學性質又利用穿透式電子顯微鏡量這根測奈米碳管的的 結構參數,這是傳統製程無法達到的。 這個技術的想法很直接,但是製程的步驟很多道,所以必須小心 謹慎。有了這個技術以後,我們也期許將來能夠把這個技術應用在別 的奈米材料上,或是配合穿透式電子顯微鏡更深入研究奈米碳管結構 與其它物理性質的關係。

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