Abstract
本論文係應用簡併四波混頻光譜法在超音波分子束中研究氫硫基(HS)高預解離電子激發態 之光譜。其中，氫硫基係由193 nm 雷射光光解硫化氫產生。實驗成功觀測到 電子躍遷之(0, 0)、(1, 0)及(2, 0)振轉譜帶，其中 能態v′=1 N′=10、11能階之躍遷為首次之觀測。藉由光譜分析求得 能態v′=0、1、2能階更精確之光譜參數值以及 能態之振動參數。在能階生命期方面的研究，本實驗首次求得 能態v′=1能階更高轉動能階N′=9、11之能階生命期，其分別為3.71±0.12 ps和3.28±0.11 ps，以及v′=2 N′=1、2能階之能階生命期分別為2.93±0.33 ps和1.77±0.13 ps。實驗証明能階生命期會隨著轉動量子數和振動量子數增加而減少。 此技術明顯比雷射誘發螢光(LIF)光譜法及共振腔衰減式吸收光譜法(CRDS)所得到的結果有更高的靈敏度，顯示簡併四波混頻光譜法對於偵測預解離能階的優越性。