Abstract
本論文旨在研究利用碳-氟聚合物的生成，來縮小積體電路臨界尺寸的大小。藉由CH2F2/C4F8混合的高密度電漿來產生均勻的聚合物，沉積在光阻上藉以縮小臨界尺寸的大小，再利用Cl2/HBr/CF4混合氣體蝕刻，可使導線間距維持在0.1微米。和一般使用光學技術來縮小臨界尺寸的方法比較，此方法具有低成本的優勢。 利用電漿源功率、偏壓功率、CH2F2 及C4F8的流量四項主要參數的變化，觀察對聚合物生成的變化，找出均勻度最佳之沉積條件。而蝕刻實驗的參數變化主要選定溫度、反應腔壓力、電漿偏壓功率及反應氣體HBr/CF4比例，配合田口式實驗設計法中的L9直交表進行實驗。最後將晶片切片分析找出各參數對蝕刻結果的影響。 這樣的方法除了用在導線間距外，還可用來縮小接觸窗尺寸，但接觸窗身寬比較大，因此難度較高。雖然蝕刻和沉積在此處是在不同的機台，未來也有可能在同一機台完成。另外為了有效控制縮小的尺寸，沉積物在不同深寬比、不同方向的沉積率也是需要研究的課題。