Abstract
在眾多研究表面結構的工具中，傳統的方法〔例如 LEED 〕雖可達到高解 析度、高精確度的能力，卻需耗費非常多的時間和精力；而後期發展出來 的方法〔例如 STM 〕雖簡易、能直接觀看原子影像，但解析度通常不夠 好，且有其限制。菊池電子全像術網羅了以上兩種方法的優點，不但具有 高解析度、高精確度、簡易、且能直接觀看三維之原子影像，在過去本實 驗室發表的論文中已簡單的證實。此次，我們首度將它拿來觀測複雜且多 發射源的 Si(111)-7x7 之表面原子結構，得到高準確率〔對應 DAS 模型 ，誤差在 0.5 A 內準確率達 89.4 % ；誤差在 0.6 A 內準確率達 94.7 %〕且明顯看到額外原子層（ adatom ）的存在，得到令人十分滿意的結 果，不但再次證實 DAS 模型的正確性，同時也能輕易地指出其它模型〔 例如 McRae 〕的謬誤之處。更重要的，我們證實了菊池電子全像術的優 點和能力並不因為表面系統的複雜而減退。實是一種非常有效力的表面結 構觀測工具。