Abstract
Cl2/Ar不同混和比例的電漿，在蝕刻應用上，多數用來蝕刻Ⅲ-Ⅴ族的光電材料，如GaN、GaAs…等等，以及其他金屬材料，如Al、Pt、W…等等。在氯氣電漿中有時候會加入少量的Ar氣體，加入Ar在蝕刻的情況下可以增加物理轟擊幫助非等向性蝕刻，目前有關Cl2/Ar混和氣體電漿的文獻並不是很多，蝕刻製程中Ar與Cl2混合氣體當Ar的混和比例濃度超過70∼80％的時候會有最大的蝕刻率，Donnelly使用光譜量測Cl2/Ar不同混和比例電漿的電子溫度發現Ar濃度超過50％時電子溫度有明顯的升高，但是在他的光譜量測上誤差值比較大，所以吾人使用Langmuir probe探針量測系統，對Cl2/Ar混和電漿做量測，分析電漿參數，證實電子溫度在Ar濃度超過50％時確實有升高的現象但是幅度並不是很大，或許是腔體比較所造成的結果，在電漿密度方面，total離子密度與total電子密度皆是隨著Ar濃度的增加而升高，跟文獻的結果有些許的不相同，文獻的total正離子與total電子隨著濃度升高而下降，total密度下降並無法確切的解釋為何當Ar混和濃度增高的時候蝕刻率會上升。