Abstract
摘 要 放射光譜學應用範圍相當廣泛，包含領域：物理、化學、材料、生物和醫學方面，本研究重點在於運用放射光譜學的研究與分析技術於電漿蝕刻製程中。配合電漿放射光量測定（optical emission actinometry, OEA）的原理於氯氣（feed gas）電漿中加入少量（6％）的稀有氣體（Ar）為追蹤氣體 （trace rare gas），由Ar（750.4 nm）與N2（337 nm）、N（744.2 nm）及N+（399.5nm）的放射光強度比來判斷氯氣電漿中N2、N濃度變化情形。 之前的研究都未考慮Ar追蹤氣體 （trace rare gas）受到起氣體溫度和分子氣體解離的影響，將其視為定值。本實驗則是要研究氣體溫度和分子解離的效應對Ar追蹤氣體的變化影響，能對OEA結果作修正。獲得更接近實際狀態的解離率和氣體密度。 本實驗室的電漿中中性氣體量測系統是利用質譜儀、光譜儀和壓力計。量測數據計算來獲得N2、N絕對氣體密度隨功率、壓力的變化情形。 了解更接近實際的中性氣體溫度、密度隨功率壓力及空間的變化有助於對製程上的精密控制和結果分析。