Abstract
本研究探討佈植元素砷在高純度矽晶片中濃度分佈的分析方法。矽晶生利用陽極氧化法，在適當電壓下作定電流電解，使矽晶片的表層氧化成一定厚度(約500 ) 的二氧化矽(Sio )氧化層，繼以0.1N的氫氟酸將氧化層溶解。如此反覆上述氧化及溶解步驟，將所得溶解液分別以中子活化分析法(NAA) 和微分脈波陰極剝除法(DPCSV) 測定砷的含量，求出矽晶片中砷的濃度分佈。由此方法所得結果並和直接的電性測定Hall effect 結果互相驗證。矽晶片中砷的濃度分佈研究，由於涉及微小樣品(10 g) 中微量元素(≦10 g/g) 的分析(Micro－Trace Analysis) ，在方法上必須講究精密化學處理與高靈敏儀器的配合。本研究會就陽極氧化及儀器測定之法(NAA及DPCSV)的實驗條件作一系列的探討。