Abstract
本研究以雷射剝蝕法-感應耦合電漿-質譜儀(LA-ICP-MS) 探討半導體製程中沈積薄膜的分析方法，並評估此分析技術應用於製程中沈積薄膜的可行性。實驗分別針對有機高分子光阻薄膜和鋁-矽-銅無機金屬薄膜兩種樣品進行探討。光阻膜在半導體工業的微影製程中扮演一個很重要的角色。對於有機光阻膜的分析，除了儀器最適化條件的探討外，並尋求最佳化的內標準元素以期提升分析訊號之精密度。分析的元素包括有Al、Cu、Pt、Au、Th 及U等。結果顯示，以Co及Tl 為內標準元素校正分析訊號，可有效地提昇分析的精密度；各元素的回收率亦可在83~105 % 之間。偵測極限，除了Al在ppm之外，其他各分析元素均約在數十到數百ppb之間。 鋁是半導體製程中目前最普遍使用的一種導線材料。基於物性的考量，在鋁中會添加 0.5?4 %的銅。本研究探討以LA-ICP-MS建立鋁-矽-銅薄膜的成份分析的可行性。首先針對雷射能量及離焦距離對薄膜樣品的剝蝕效率進行探討，最後嘗試以塊狀標準品建立檢量線進行定量分析。由於塊狀標準品與薄膜樣品存在著表面型態與物理性質的重大差異，本研究利用標準品表面拋光處理配合內標準法，來克服分析上的問題。最後結果顯示，所得結果與濕式方法的定量結果頗為接近，證明所建立的方法具有相當的可行性。