Abstract
CuInS2是AIBmC2Dr（Teonary Chalcopyrite Compounds）中的一種，由於其能階間隔為1.5ev， 對太陽能的轉換效率，因此被認為是一種具有發展潛力的主導體材料。本研究為配合國內對此項材料之研究發展，嘗試建立其組成成分的精密及準確分析技術，期能提供該材料製造技術及物性研究的有力支援。本研究是以發可以適用於CuInS2單晶及薄層樣品的分析為目。標由於樣品量小（0.1?2.0mg ），分析精確度的需求高（誤差≦0.2﹪ ），故及選用電化學作為本研究的分析方法。首先將試樣與濃硝置入壓刀筒中加熱，使刀解形成Cu-2，In+3及SO42之化學型態，再用定電位庫倫測定法（Constant Potential Conlametry ）分別定量Cu+2和In+3。殘餘於電解液中之SO42，最後以安培滴定（Amperamitry Titration ）法予以定量。為了符合半導體材料分析之高精確度要，求本研究探討整個分析過程中可能導入的誤差因素，並設法予以消除或校正希望由所建立的方法可應用到例行分析。實驗的結果顯示，即使對少量（1?10mg ）樣品的分析，所能達到的精密度分例為Cu及In±0.1﹪ ，及S ±0.2﹪ ，顯示已大致能符合材料研究。