Abstract
摘 要 隨著科技的日新月異，所使用技術的提升不但可以節省成本，增加產能，更代表進入了另一個里程，微影技術在電子元件製程中可以說是最重要的一環，而現今所使用的光學微影技術已經是相當成熟的製程技術，但受限於光波長的自然因素，要讓現今所使用的製程能再更小，是相當不容易的，所以就發展出了下一代的微影技術，而最可能成為主流的即為電子束微影，但由於目前的電子束微影技術並不能跟光學微影技術量產的速度相比，故目前大多為研究方面使用，而電子束微影很輕易的便能製作出50 nm以下的結構，所以在製作單電子電晶體(Single Electron Transistor)或是量子點(quantum dot)等結構是相當方便的，我們便可以藉此更加了解奈米元件的量子力學效應以及將來奈米元件所能應用的範圍，甚至是10 nm以下的元件，都可藉此瞭解元件製造過程中所遭遇的問題，以及元件的物理特性。