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利用霍氏紅外光譜法,研究二硫化二甲烷基(CH□SSCH□)在低溫間質之光分解
Thesis

利用霍氏紅外光譜法,研究二硫化二甲烷基(CH□SSCH□)在低溫間質之光分解

葉佩勳
Masters, National Tsing Hua University
1988

Abstract

霍氏紅外光譜法光譜二硫化二甲烷基光分解間質隔離法雷射燈
結合霍氏紅外光譜法(FTIR)和間質隔離法(matrix isolation),偵測在Ar或O□間質中二硫化二甲烷基(CH SSCH ,簡寫為DMDS)受各種不同光源照射後,所產生的生成物紅外光譜。在氣態中DMDS光解後,應會產生CH□S 或CH□S□。 這兩個自由基在間質中的紅外光譜從未被測得。在這個實驗中,當以汞燈、閃光氙燈,266nm雷射光,鎘燈照射Ar間質中DMDS,只看到二級光解的產物;但當以主要的光源波長為214nm的鋅燈照射,發現1404.4,1311.8,1022.4,967.5,667.3cm□□,其中1404.4,1311.8,967.5cm□□,和具有CH□特性振動模的頻率符合,而將這5根吸收峰指認為CH□S□。我們也做DMDS在O□ 間質中的光解。當在氣態中,DMDS光解後所產生的CH□S 與O□反應後會產生CH□SO□H,SO□, 及H□CO。 但在O□ 間質中以鋅燈照射的結果和汞燈、閃光氙燈、鎘燈,266nm及282nm雷射光照射一樣,皆產生SO□,CH□SO□H,O□,HO□及許多尚無法指認的吸收峰。我們藉由吸收峰強度隨照射時間消長作圖,可將之歸納為吸收。至於在氣態中光解會產生的H□CO ,在間質中則會進行二級光解反應而沒有觀測到。當用282nm照射Ar間質中DMDS,沒有觀測到產物,但在O□ 間質中照射5分鐘,即產生許多吸收峰,這是cage effect 所造成的結果,當光解產生自由基後因被限於Ar晶格內,無法逸出晶格,而會再結合反應成原來分子;但在O□ 間質中,O□ 可和光解後產生的自由基反應,而產生許多吸收峰。

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