Abstract
在多晶鑽石電子元件的應用方面，雜質含量的控制是非常重要的。本研究以H3BO3溶解在去離子水的稀釋溶液為硼攙質來源，在燈絲化學氣相沉積爐內蒸鍍同步攙質P型多晶鑽石膜來探討硼攙質多晶鑽石膜的電性。主要是利用霍爾效應來量測載子濃度及霍爾遷移率與溫度的關係。並利用二次離子質譜儀來測定攙質濃度。由實驗結果可知：(1)同步攙質P型多晶鑽石膜的硼雜質縱深分布非常均勻，但水平分布有少許的不均勻，(2)同步硼攙質多晶鑽石膜的活化效率約小於1%，(3)同步攙質多晶鑽石膜其霍爾遷移率的最大值發生在250K，(4) two-carrier model 可用來解釋同步硼攙質多晶鑽石膜霍爾遷移率及電阻係數與溫度的變化。