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利用□□Al(P、α)反應測量半導體Ga□□xAlxAs中Al之含量及深度分佈
Thesis

利用□□Al(P、α)反應測量半導體Ga□□xAlxAs中Al之含量及深度分佈

程安平
Masters, National Tsing Hua University
1984

Abstract

鋁-27半導體鋁含量原子核共振反應α粒子 GAALAS
本實驗是利用原子核共振反應鋁-27+質子→鎂-24+α粒子來測量半導體GaAlAs中Al的含量與深度分佈。藉著改變入射質子的能量,使其與位於不同深度的鋁-27 起反應。反應產生的α粒子數目與以純鋁進行實驗時所得的α粒子數目與以純鋁進行實驗時所得的α粒子數目相比,使可決定該處鋁-27 之含量。本實驗使用一個8.6 um厚的△E 型表面勢疊偵測進行。利用逆符合線路將反應之α粒子數目與散射之質子數目比提高一位。實驗結果證明這是一個非破壞性的測量方法,能夠精確地測量各種物質中鋁的含量及其深度分佈。

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