Abstract
本文的研究重點在於探討變化助燒結劑的種類和添加的量以及制程參數（粉末前處理、燒結溫度、燒結時間、冷卻速率），藉以得到一種新型的PTCR( 正溫度系數電阻)陶瓷半導體, 即具有V-型PTCR特性曲盄的鈦酸鍶鉛陶瓷。另外藉擴散偶(diffusioncouple) 的實驗來探討助燒結劑對( )系列陶瓷的微觀結構之影響。其結論如下：1.在(PbSr)TiO 或(BaSr)TiO 系列中SiO 是Al O, SiO 及TiO 三者中，最有幫助晶粒成長效果的添加劑，另外含有SiO 的混合添加劑如Al O SiO 及SiO -TiO 二者也有幫助晶粒成長之效果；唯有Al O -TiO 的混合添加劑在此二系列中皆不會有幫助晶粒成長的效果。2. 在1220℃燒結30分鐘,以每小時300 ℃的升降溫速率可獲得良好的V-型PTCR特性曲線,及10 的PTCR-jump值。3.任何制程上的偏差，如：太少的助燒結劑(SiO )，太高式太低的燒結溫度，燒結時間太短，冷率速率太慢，等……皆會產生不良的電性性質，甚或使半導性消失。4.助燒結劑-SiO 在燒結前粉末的表面分布均勻與否將對燒結后試片的微觀結構均勻與否有絕對的影響，而好的微觀結構（均勻的大晶粒）之試片，表現出良好的V-型P-TCR特性曲線。