動態臨界電壓金氧半電晶體在不同矽基材上的電特性研究

Thesis

金尚志

Masters, National Tsing Hua University

2003

Abstract

動態臨界電壓金氧半電晶體(111)晶格方向次臨界擺幅

DT-MOS(111)lattice orientationS.W.

本論文中分別使用了三種不同基底組成的矽晶圓 : 包含(100)-矽晶圓、(111)-矽晶圓以及氫氣回火處理之矽晶圓，並用其來製做完成NMOSFET元件，另一部份則是針對可改變臨界電壓大小的動態操作方式來研究。

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