Abstract
在本研究中，我們以首創之離子束磊晶成長方式，將砷化鋁之磊晶，成長於矽及GaAs之基板上之上，首先我們在矽或GaAs的基板上鍍上一層鋁之薄膜，然後將晶片置入離子佈值機中，以高劑量的砷離子作佈植，使在薄膜中，鋁原子和砷原子的比例能到達１比１，然後再以高功率的離子束照射，使薄膜作磊晶成長，成長後的樣品，以拉塞福背向散私及通道效應量劑，以確定薄膜磊晶的方位，其細微結構則由掃描穿透式電子顯微鏡觀，其表面狀況則由掃描式電子顯微鏡及電子採微儀予以觀察，歐傑電子光譜則觀察各元素之分佈狀況，晶體結構中聲子之振盪，則以紅外線反射光譜觀察，激光光譜則觀察其發光狀態，此外含In之化合物半導體亦以穿透式顯微鏡予以觀察。