Logo image
化學合成導電POLYPYRROLE及其鍍銅之研究
Thesis

化學合成導電POLYPYRROLE及其鍍銅之研究

陳世昆
Masters, National Tsing Hua University
1992

Abstract

摻雜離子、化學分析電子光譜、增殖速率、混亂 polypyrrole、dopant、propagation、random
本文利用二氧化錳/Pyrrole/Acid 系統,以化學法合成導電度約為1(S/cm)之Polypyrrole (PPY)。經由操作溫度的高低,控制著落在環氧樹脂(FR-4)之二氧化錳量,可獲得不同導電度之FR-4/PPY複合物。由X-射線繞射光譜(XRD)及原子吸收光譜 (AA)之結果,發現錳(Mn)由四價還原成二價,二氧化錳在此系統下應為一氧化劑,且二氧化錳需處於強酸環境下,才具有效的氧化能力。又經能量分散成份光譜 (EDS)、化學分析電子光譜(ESCA)、元素分析(EA)和循環式伏安法(CV)之研究,可推論PPY 之摻雜離子(dopant)為酸根離子。以掃描式電子顯微鏡(SEM) 觀察在PPY 上進行電沉積銅之反應,發現其沉積行為主要是以緩慢的增殖 (propa- gation)方式,沿著與導體的接觸面成長,與一般高導電度之金屬電極整面式成長方式有所不同,沉積順序可分為以下四個步驟: a.首先沿著與導體的接觸面,生成點綴式群聚細顆粒狀或樹枝狀銅晶體。 b.電沉積銅由初始之點綴式群聚細顆粒狀或樹枝狀晶體,漸成平面式之群聚粗顆粒狀或樹枝狀銅晶體。 c.於平面式群聚粗顆粒狀或樹枝狀晶體之上,繼續沿著垂直方向往上成長銅,逐漸形成一介於群聚粗顆粒狀或樹枝狀與顆粒狀間之過渡狀銅晶體。 d.於過渡狀晶體上,銅繼續向垂直方向往上成長,漸成一顆粒狀銅晶體,然後再佈滿整個導電高分子層。當FR-4/PPY複合物片電阻約5KΩ╱□ 時,銅在其表面之增殖速率,於電位-0.1 V vs.SCE 下約180μm/min。再以X-射線繞射光譜(XRD) 探討結晶結構,發現其主要是以混亂(random)的方式所形成的鍍層結晶。最後,以PPY上鍍銅之極化曲線,探討其電化學特性。

Metrics

1 Record Views

Details

Logo image