Abstract
CBE 技術係1984年由 AT&T Bell Laboratories 之華裔科學家曾煥添博士(Dr.W.T.Tsang) 發展成功的一項新技術，它係結合分子束磊晶成長法 (molecular beamepitaxy, MBE) 及有機金屬氣相磊晶法 (metal organic chemical vapordeposition, MOCVD)之許多優點而成的一新技術。CBE 法與MOCVD 法又不太一樣，於MOCVD 技術中，基板之表面會形成一粘滯層 (stagnant boundary layer)，所有的化合物來源必需擴散進去此界層，到達基板表面後，才能起反應而形成 GaAs 或InP 化合物。而CBE 技術中之氣體源，因於相當高真空之成長腔室中，可形成分子束於板之表面。CBE 法若與MBE 技術相比較，則具有下列優點：?CBE 法中之 III族有機金屬源於室溫時為氣體，因此簡化了多晶片成長之大量生長的可能。?氣體源可作無窮盡的供應，且氣體流率經由電子儀器準確地控制，大量生產更有可能。?祇有單獨一個III 族氣體束，因此可以確保磊晶層組成之均勻性。?即使在高成長率下，因為沒有Ga元素之蒸發，因此沒有蛋卵形缺陷之存在，此優點對於GaAs或InP 積體電路上之應用十分重要。?具有較大之成長率。CBE 法若與MOCVD 技術相比較，則具有下列優點：?於多晶片大量生產系統中，沒有 flow pattern 的問題。?由於分子束的本性使得異質接面非常陡峭，而且可以形成相當薄的磊晶層。?由於高真空之成長腔室，因此成長環境較乾淨。?可以加裝分析儀器，如 RHEED (Reflected High Energy Electron Diffraction) 或RGA (Residual Gas Analyzer) 等，可作現場之分析 (in-situ analysis) 用。?可以作為其它高真空薄膜之形成或處理過程（如金屬蒸著，離子束milling 及離子佈植等）。