Abstract
化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing）是半導體產業的重要技術。主要的功能在於使晶圓（wafer）成為光滑的鏡面，以利下一步製程的進行。化學機械拋光技術要求的重點有二：高移除率（high Removal Rate，R.R）和低不均勻度（low Non-uniformity，N.U）。高移除率代表高產能，而低不均勻度則表示高品質，影響這兩者的主要參數為研磨時所施加的壓力及速度。本文內容將在高移除率的條件下，藉由晶圓載具（carrier）的設計與施加壓力的調控，分別來改善因邊界效應（edge effect）和速度分佈的差異所造成的表面不均勻度，並探討晶圓與研磨墊受壓後，兩者之間間隙的分佈與其對研磨的影響，最後將理論所得應用在CMP機台的設計實作上，開發一台研磨實驗機。