Abstract
吾人以TiCl4(NH3)2錯化合物做為以CVD法生長TiN薄膜之單一前驅物，且量測所生長的TiN薄膜之性質，如晶相、電阻、薄膜之生長速率及表面組態；更進一步觀察在基材silicide生長TiN薄膜後，其silicide之晶相及其厚度變化。在TiN薄膜之特性量測方面，在所試驗的生長條件下薄膜之晶相均為氮成份原子不足的ε-Ti2N、η-Ti3N2-x 及ζ-Ti4N3-x 晶體結構；TiN薄膜之電阻隨著生長溫度增加而下降，但因組成不均勻使其偏差率較大；因系統之熱對流效應使其TiN薄膜生長速率甚小，但具有隨著生長溫度增加而增加之趨勢；TiN薄膜經由AFM與SEM之觀察可發現TiN薄膜之晶粒將隨著生長溫度增加而增大。在silicide基材上生長TiN薄膜發現silicide會擴散至TIN薄膜中，使得silicide之厚度會減小，且當生長溫度越高時此現象越嚴重；又因 silicide在擴散的過程中有氧之存在，使得silicide晶相會由TiSi及TiSi2轉變成Ti5Si4及Ti5Si3。