Abstract
基於半導體科技的需求，化學分析需要相應的配合由整體分析推展到層次分析技術的發展。本研究旨在建立矽、砷化鎵及磷化鎵晶片的層次分析技術，並發展磷化鎵半導體材料中微量元素的測定方法。半導體晶片利用陽極氧化法，在適當電壓下作定電流電解，使半導體晶片表層氧化成一定厚度的氧化層，繼以蝕刻溶液將氧化層溶解。如此反覆上述氧化及溶解步驟，將所得溶解液分別以中小活化分析及電容─電壓測定儀及四點探針測定儀等方法，測定晶片中特定元素的縱深濃度分佈。另探討磷化鎵材料中微量元素的測定方法。試樣經表面處理後，繼以硝酸─鹽酸混酸溶劑萃取法及管柱分離法去除基底元素磷及鎵，最後利用感應耦合電漿原子發射光譜分析儀作樣品溶液中鈣、鎂、鋁、鈷、鋅、銅等微量元素之測定。