Abstract
在本論文中，我們發展了有關半導體異質結構之電學特行的理論。在第二章中，我們以轉移矩陣及特殊函數法，處理ｎ形半導體異質結構於橫向磁場作用下之能階及穿隧性質。我們應用該理論於砷化鎵及砷化鎵鋁所製成之量子井結構之能階，超晶格結構之能帶結構及雙位能共振穿隧結構之穿遂電流。於第三章中，我們以變分法，並以第二章中所得之波函數乘以一變分函數作為我們的測試函數，來計算量子井中之激子的束縛能。由我們的理論所得之結果與實驗相較，其結果非常吻合。於第四章中，我們以轉移矩陣法及第二階之ｋ．ｐ等效質量理論，並運用偉伯（Ｗｅｂｅｒ）函數來展開包絡 ]ｅｎｖｅｌｏｐｅ）函數， 來計算ｐ形半導體異質結構於橫向磁場作用下之能階及穿隧性質。於第五章中，我們以非平衡態格林函數，並運用費因曼之封閉時間路徑積分法及運動方程法，來計算雙位能共振穿隧結構之交流小訊號特性。在此理論中，我們亦同時考慮了超微小結構中所具有之強庫倫作用力之情況。於適當的條件下我們將可得到一解析解。此外，我們亦以此理論計算第二形結構之交流 小訊號特性。於最後一章中，我們同樣以第五章中之方法，來探討雙位能共振穿隧結構之雜訊特性。於適當的條件下我們亦可得到一解析解。