Abstract
本論文主要在探討以非揮發性monoethanolamine(MEA)為蝕刻液之錯合劑 ，利用多階段實驗計畫法，獲得最適合之蝕刻液配方為CuCl2．2H2O 160g/L、MEA 300ml/L及HCl 100ml/L，其蝕刻速率在pH=8.2、溫度57℃及 打氣泡浸蝕的條件下為0.12mil/min。實驗中並利用極化曲線解釋蝕刻液 蝕銅及加速劑加速之反應機構，另外也推導出MEA蝕刻液系統之動態 Pourbaix圖。同時以鍍上錫鉛之銅箔板為蝕銅基材，利用光學顯微鏡觀察 蝕刻液之側蝕現象。實驗結果顯示MEA蝕刻液與氨系蝕刻液具有類似的極 化現象、蝕刻反應機構及Pourbaix圖形，但其蝕刻速率不及氨系蝕刻液， 蝕刻因子卻優於氨系蝕刻液。主要的原因是因為MEA同時具有蝕銅及護岸 的功效。MEA蝕刻液系統擁有高蝕刻因子、無臭味及可在中性或弱鹼性下 操作等優點，雖然蝕刻速率較低，但仍有取代氨系蝕刻液之空間，特別有 利於高密度細線路印刷電路板製程之應用。