Abstract
本實驗是利用接觸式之原子力顯微儀，在樣品的表面以奈米微影術（nanolithography）製作出奈米級氧化層。其原理就是在樣品上加相對於探針為正的偏壓，則探針所到之處便會因為電場的作用而產生氧化層，此即是所謂的電場導致氧化（electric-field-induced oxidation）反應。 選用的樣品砷化鎵（gallium arsenide, GaAs）所製成的晶片目前已經開始問世，許多大型電腦中，有些重要的元件就是由砷化鎵晶片所構成的。砷化鎵也以極快的速度在高速通訊之類的領域嶄露頭角。但是砷化鎵也有某些缺點，它比矽晶片的價格大約要貴上好幾倍，而且由於砷化鎵晶片新技術仍處於萌芽階段，因此砷化鎵晶片的設計師目前只能將較少的電路壓擠在單一的一個晶片內。 本文藉由探討反應過程中氧化層成長的情形與外在所控制的條件，如大氣的相對濕度、所加偏壓的高低、探針移動速度的快慢等的關係，來研究此種氧化過程之反應機制，與已知的理論模型和一些經驗公式作一個比較。