Abstract
本論文利用原子沉積技術在n型矽基板鍍製HfO2薄膜，經不同氣氛下(氬氣、forming gas、氧氣)退火處理後，利用黃光製程定義電極圖形，再鍍覆鋁電極製作成MOS結構。接著進行高頻訊號的電容電壓量測以及低頻準穩態電容量測。研究高低頻電容電壓曲線不相符的原因並予以校正，最後，利用電容電壓曲線，計算介面能態密度與氧化層固定電荷等資訊，研究結果顯示氧化層固定電荷經退火過後由正電轉為負電，而介面能態密度約減為未退火試片的1/3。同時利用PCD方法量測載子生命週期，但電容電壓量測和PCD兩者結果並未符合。