Abstract
本篇內容主要是研究無晶形矽元件製造時腐蝕技術對於線寬改變時及薄膜層改變時是否有影響。其中有二種不同的結構：（一）氮化矽╱無晶形矽╱氮化矽╱矽晶片（二）氮化矽╱無晶形矽╱矽晶片被製造出。線寬度變化乃從一點五微米至五微米，而四氟甲烷是蝕刻所用之氣體，利用ＳＥＭ掃描式電子顯微鏡可研究方向性及選擇性，當蝕刻條件相同時，發現方向率大小隨線寬減少而增加同時其選擇率亦隨薄膜結構不同而改變，如果我們降低氣體流動率，則剖面圖斜率亦產生變化，同時方向率大小亦增加，如果加微量氮氣，則剖面圖斜率亦產生變化。