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反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製
Thesis

反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製

林彥霖
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2016

Abstract

碳化矽 功率元件 正-本-負二極體 邊緣終結保護結構 高電壓 4H-SiC power device PiN diode edge termination high volatge
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