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Thesis
反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製
林彥霖
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2016
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Abstract
碳化矽
功率元件
正-本-負二極體
邊緣終結保護結構
高電壓
4H-SiC
power device
PiN diode
edge termination
high volatge
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Title
反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製
Translated title
反摻雜接面終結延伸於10 kV級4H-碳化矽PiN二極體之設計與研製
Creators
林彥霖
Contributors
黃智方 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
Date published
2017
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