Abstract
本文為研討在過飽和溶液中，圓柱狀晶體受到外界干擾後其徑向成長移動界面的穩定性。假設系統保持□溫，且晶體與過飽和溶液的密度相近，因此晶體之成長只受制於擴散、表面動力及表面張力等因素。若系統在時間０＜ｔ＜Ｔ之內，晶體不受 ▔外界干擾地成長著；而在時間ｔ＞Ｔ時受到外來的干擾。假設干擾的參數很小，因此應用攝動法技巧(Perturbation technique)，可將在ｔ＞Ｔ的系統方程式轉變成兩部份：一為 的零次式，相當於未受干擾前之系統方程式；另一為 的一次式，相當於受干擾後系統變化的方程式。由絕對穩定性(Absolute Stability)之定義：ｄＲｅｍ（ｔ） ｄ───────│t=T ＜０，及相對穩定性 (Relative Stability) 之定義：── ｄｔ ｄｔ Ｒｅｍ（ｔ）〔───────〕│t=T ＜０，可導出絕對穩定性及相對穩定性的判斷標準 Ｒｏ（ｔ） ｄＲ□（Ｔ）(Criterion) 為Ｒ□（Ｔ）．──────及各系統常數的函數關係式。但，因 ｄｔｄＲ□（Ｔ）──────之解在本文中是由未受干擾的系統方程中忽略表面張力及動力的效應 ｄｔ ｄＲ□（Ｔ），藉Similarity method 求出界面移動速率，──────，的近似解(Approxim- ｄｔate Solufion) 。故最後，得知絕對穩定性之判斷標準 (Absolute StabilityCriterion)及相對穩定性之判斷標準(Relative Stability Criterion)為溶液的過飽和度、晶體表面整合速率常數(Surface integration growth rate constant)、晶體徑向表面平均曲率、晶體之表面張力、及外來各種干擾頻率等之函數。且得知當系統只受到Ｚ－方向干擾時，實為當系統受到θ－方向及Ｚ－方向干擾時的一個特例(Special case)。