Abstract
因為半導體元件是種對表面極敏感的元件(surface active device) 而且有某些關鍵性的現象發生在表面, 界面或在薄膜裡。所以了解半導體的表面, 界面或薄膜的特性可以更能改良半導體元件的電性，尤其是對VLSI而言。為了做更基礎及應用的研究，我們將建立一個多功能的表面及界面分析用的超高真空系統。將包括低能量電子繞射儀（LEED），歐杰電子能譜儀（AES）,可角度分析的紫外線光電子能譜儀（ARUPS）,可角度分析的X-光光電子能譜儀(ARXPS),加熱釋出溫譜(TDS) 以及簡單的分子束磊晶(MBE) 系統等實驗設備。其中ARUPS,ARXPS 將配合使用興建中的同步輻射實驗室。表面及界面物理實驗室完成後將可以對表面及界面的原子和電子結構，相變化，化學成分，化學反應等有趣的題目加以探討，成為一個跨越物理，材料，電機，化工等不同學科的研究中心。整個超高真空系統是參考最新發表的設計構想而自行設計建立，除了可以對國內表面物理有所貢獻以及提升表面技術的水準，還可以提高國內真空工業的發展並節省不必要的經費，更可為將來的同步輻射實驗室做準備。整個光電子放射能譜儀系統是經過將近二年的時間才建立完成，並且已初步測試各種儀器之功能，可以重覆Ag(110)-1×1及Si(111)-7×7的標準光電子放射能譜。