Abstract
本文主要是對可調頻滲鈦三氧化二鋁半衰期的研究。可調頻雷射材料廣泛的應用價值，尤其是最新發展成功的固體可調頻雷射–滲鈦離子三氧化二鋁，具有廣寬的吸收與 0螢光帶，調變輸出可達6600?9800A ，電偶極的躍遷特性，使其具有增益截面（gaincross-sec-tion）大，允許較短的Q-Switch操作，以及高尖峰功率輸出，且主晶體（host）剛玉–AlzO3 性質穩定，熱導性佳，使用壽命長……等，足見其應用潛力。本文利用組態座標模型（configuration coordinate model）與晶體場論（Crystalfield Theory）來計算其螢光光譜半衰期的大小，以俾能對此材料的激發輻射、工作原理、改善理論的缺點……等有所了解，文中運用3d-4p 混成軌域來解釋部份解除電偶極躍遷（forbidden lifed electric-dipole transition）的特性，進而解釋較其他過渡金屬為高的增益截面及短的半衰期。最後，利用簡單的概念與理論方法，可得出螢光半衰期8.3μs，比實驗值2.9μs（室溫）大，但卻已相當良好，理由如下：漢米頓運算子可再改良，波函數需要更精確（自由離子），也就是說，造成電子躍遷的作用需再加入其他項，使半衰期進一步的降低，理論才更精確。