Abstract
摘 要 本論文所探討重點在於利用同位素63Ni衰變產生的β粒子能量，應用於N-P接面結構以產生電力。並且配合不同元件之表面結構設計及所使用同位素活度之變化，加以觀察其元件性能表現差異，希望能獲得較佳之電力輸出性能。 在探討不同參數的元件中，實驗結果顯示，在N-P接面結構方面，以空乏區寬度較寬且N型區（Emitter Layer）寬度較窄之佈值條件下，其元件性能表現較佳。此外採用SiO2薄膜覆蓋元件表面，作為表面保護層（Passivate Layer）以及平面式元件結構方式，則可降低元件逆向飽和電流值，進而改善開路電壓表現。且金屬佔表面比例愈低時，其電池性能表現愈佳。 而在有表面保護層以及金屬所佔比例較低之元件條件下，其元件面積較小時，可得高之開路電壓性能表現，但是在短路電流及其輸出功率方面則是以大面積元件表現較佳。 在同位素活度影響方面，則是以採用較大之同位素活度條件下，其元件電池性能表現較佳，唯一只有能量轉換效率表現不佳之缺點。 最後呈現本論文中最佳元件性能表現，在同位素1mCi活度條件下之開路電壓（Voc）為176 mV，短路電流密度（Jsc）為32.3 nA/ cm2。