Abstract
本研究係利用β位置之三甲基矽基團可增進酮類化合物光解能力之特性，應用於高分子上，可使含有β-三甲基矽酮光解因子(-CH(CH2SiMe3)C(=O)-)之高分子，在紫外線照射下，有效的裂解。此項研究成果，對環保問題會有所助益，在發展光阻科技(photoresist technology)之領域中，亦能提供一項新材料。以聚丁二烯(polybutadiene)為例，本實驗室成功地利用三種新的有機反應：硝化反應(nitration)，矽烷基化反應及Nef反應(silylalkyla- tion-Nef reaction)，依序地作用在高分子上，藉此將β-三甲基矽酮基團，順利地引入聚丁二烯上。利用此種含有β-三甲基矽酮基團的聚丁二烯，在THF溶液中，以波長大於300nm的紫外線照射兩小時，即可有效地完全裂解。在相同的實驗條件下，以不含β-三甲基矽酮基團之聚丁二烯做為對照組，發現於整個照光過程中，幾乎完全不裂解。由上述的研究，本實驗室將分子量Mn=12100且含3.8%β-三甲基矽酮的聚丁二烯，利用示差掃瞄熱量計(DSC)分析，測得其玻璃轉換溫度(Tg)為-22.9 ℃，並且由熱重分析(TGA)得知，該聚合物在448 ℃及538 ℃有熱重損失的現象。基於該聚合物具有良好的光解性質及熱穩定性，我們利用旋轉覆膜 (spin coating)的方式，成功地將該聚合物，披覆在矽晶片上，並做照光顯影測試。結果顯示，該聚合物極具成為正光阻(positivephotoresist)材料的潛力。