Abstract
本研究主要是觀察經由電漿化學氣相沈積法 (Plasma Enhance ChemicalVapor Deposition,PECVD) 所鍍非晶矽膜，在退火過程中，其內部氫含量與空孔含量隨著退火時間改變的關係，通常非晶矽膜中含有氫與空孔，當退火溫度大於攝氏 300度時，氫就會開始逃離矽膜，至於在攝氏 615度的退火溫度下，根據前人研究報導指出，在開始退火的兩分鐘，非晶矽膜厚度急速下降，這代表非晶矽膜內空孔含量的急速下降，而此時氫含量也相對的急速下降至幾乎為零，但由於只是定性描述，沒有定量分析以觀察兩者之間的關係，並且退火溫度太高之下無法對氫含量與空孔含量之間的關係做詳細的觀察，所以我們選擇了一般非晶矽膜薄膜電晶體(TFT)製程的最高處理溫度攝氏350度，來作為本實驗主要退火溫度，選擇此退火溫度，除了方便於做定量的觀察之外，同時，也因為氫含量與空孔含量對於TFT的電性影響極大，所以更有必要了解攝氏350度下氫含量與空孔含量隨著退火時間改變的關係。至於量測儀器方面，我們以傅氏轉換紅外光光譜儀(Fourier Transf- orm Infrared Spectroscopy)量測氫含量，並嘗試用測厚儀 Alpha step與橢圓儀測量空孔含量。研究結果發現 10瓦蒸鍍之非晶矽膜氫含量與空孔含量隨著退火時間之變化呈線性關係，而30瓦蒸鍍之非晶矽膜其兩者之變化趨勢雖一致，但兩者關係並非線性。因此我們認為非晶矽膜在退火期間空孔含量的變化必定與氫的逃逸有關，但兩者之間並非一定成線性關係，可能會隨著蒸鍍瓦數不同而有所改變。本文分五章：第一章緒論；第二章實驗方法與步驟；第三章定量分析與計算；第四章結果與討論；第五章結論與建議。